技术编号：6933043
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明是有关于基于相变化存储器材料(phase change memory material)的高密度存储器装置的，且特别是有关于用于刻蚀相变化存储器 材料的工艺。本申请案主张2008年3月25日申请的美国临时申请案第61/070,730 号的优先权。上述专利申请案的全文以引用的方式并入本文中且构成本说 明书的一部分。背景技术可通过施加处于适合在集成电路中实施的电平的电流而致使如基于 硫族化物的材料以及类似材料的基于相变化的存储器材料在非晶状态与 结晶状态...
注意：该技术已申请专利，请尊重研发人员的辛勤研发付出，在未取得专利权人授权前，仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。