技术编号:6933486
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种,更具体 涉及一种抑制氮化物半导体发光器件的晶体缺陷、改善电性能以及 提高发光效率的。 背景技术通常,GaN基半导体被用于光器件领域,例如蓝色/绿色发光器 件(LED )、高速开关元件例如MESFET (金属半导体场效应晶体管)、 HEMT(高电子迁移率晶体管)等,以及作为高功率器件的电子器件。在一般类型的GaN基半导体LED中,GaN基半导体LED通过 以下方法来制造,该方法包括在低生长温度下在衬底(例如,蓝宝 石衬底或SiC衬底)上生长多...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。