技术编号:6933577
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及GaN功率集成电路,尤其涉及具有单片集成 AlGaN/GaN HEMT和横向功率场效应整流器的GaN功率集成电路以及 其制造方法。背景技术功率半导体器件包括三端晶体管开关器件和两端功率整流器两 类。这些整流器和晶体管都是切换式开关电源、功率驱动电路等必不 可少的组成部分。在晶体管方面,AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)通常是 最好的选择。诸如包括AlGaN/GaN的III-氮化物(II1-N)化合物半 导休具有禁带宽度大、临界击穿电...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。