技术编号：6933645
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种制备大尺寸晶片的等离子反应器。本发明尤其涉及一种等离子反应器，它设有一个空腔， 一个通过悬壁结构被支撑在空腔一 侧壁面上，用于支撑一块基板的阴极装置，以及一块排放反应气体的挡板。 所述的挡板上可以不均匀地设置多个穿孔用来排放反应气体，甚至可以在 一个不均匀结构中的阴极装置上均匀地排放需要排出的气体，从而提高了 空腔中等离子的均匀性，也改进了蚀刻等过程中基板蚀刻率的均匀性。背景技术—个半导体集成电路(IC)设备或一种玻璃基板中通常使用一种 大尺...
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