技术编号:6933656
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种发光二极管(LEDs)的系统及其形成方法,特别涉及具有 多结晶的含硅材料作为成核层(nucleation layer)的LED系统及其形成方法。背景技术通常,LED是通过在基底上形成活性区域以及在基底上沉积各种导电及 半导体层来制造。通过p-n结的电流,空穴对的辐射重组可用来产生电磁辐 射。由例如GaAs或GaN的直接能隙材料制造的顺向偏压p-n结中,注入耗 尽区的空穴对重组,会造成电磁辐射的发射。此电磁辐射可能落在可见光区 或是非可见光区的...
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