技术编号：6934304
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种，尤其是一种具有高组件密度 的。背景技术金氧半导体组件依据其电流走向的不同，可区分为平面式(planar)与垂直式 (vertical)两种。在平面式金氧半导体组件中，源极与汲极设置于半导体底材的同一个平 面上，以产生水平方向的导通电流。相比之下，垂直式金氧半导体组件的源极与汲极则是分 别设置于半导体底材的上表面与下表面，以产生垂直方向的导通电流。对于水平式金氧半导体组件而言，其耐压取决于源极与汲极间的通道宽度。相比 之下，垂直式金氧半导体组...
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