技术编号:6934365
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明是有关于,特别是有关于可以形成高品质且厚度均匀的薄介电质层的方法。背景技术 介电质层是半导体产品中重要不可或缺的一环,不论是用来提供隔离、绝缘、储存电荷或支撑结构等功能。也因此,如何形成高品质、厚度均匀且缺陷少的介电质层,是自有半导体工业以来,一个始终极其热门的问题。针对这个问题,已知技术已有许多的解决之道,例如以高密度电浆化学气相沉积、电浆增益化学气相沉积、低压化学气相沉积与低温化学气相沉积等来改善传统使用的化学气相沉积的不少缺点。又例如以四氧乙基...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。