技术编号:6934563
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本申请涉及半导体技术,更具体地,涉及一种包括在衬底中形成第一和第二器件的半导体制造方法。 背景技术半导体集成电路(IC)产业已经经历了快速增长。IC材料和设计的技术进步已经 产生了多个IC生产代,其中每一代具有比前一代更小和更复杂的电路。然而,这些进步增 加了加工和制造IC的复杂性,对于将实现的这些进步,需要在IC加工和制造中进行类似的 研发(development)。通常,在集成电路的发展过程中,普遍地增加了功能密度(即,每芯片 面积上互连器件的数量)而...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。