技术编号:6934700
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及半导体装置,且特别是涉及一种半导体存储装置及其制造方法。 背景技术在集成电路装置中,旋转力矩转移磁性随机存取存储器(spin torque transfer magnetic random access memory,下称STT-MRAM)为用于次世代嵌入式存储装置的一种新 兴技术。半导体集成电路技术将继续朝着具有较小特征尺寸以及更为增加的密度的电路布 局而演变与发展。然而,随着持续地演变,所遭遇重要问题之一即为如何随着尺寸缩小而降 低写入电流(...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。