技术编号:6935406
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明主要涉及到结势垒肖特基器件的结构和制作工艺,尤其涉及一种新型的同时具有低正向压降和低反向漏电流的结势垒肖特基器件的结构和制作工艺。 背景技术通常有三种整流器,(1)肖特基势垒二极管,是一种金属和半导体接触的器件,具 有较低的正向压降和极高的开关速度,但是反向漏电流较大和反向电压不高的不利特性影 响了器件一定范围内的应用。 (2)P-i-N二极管,提供了较低的漏电流和较高的反向电压,但在开关过程中,在 PN结上存储有一定数量的存储电荷从而影响器件的开关...
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