技术编号：6935444
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及半导体制造领域中的钝化层结构及钝化层生成工艺，尤其涉及。背景技术氧化硅由于其具有对硅基片和铝膜相对小的应力而作为一种常规的钝化膜结构在Bipolar电路中被广泛使用。然而，由于氧化硅存在对辐射敏感、较低的抗划伤能力、较差的光电性能、较弱的阻止潮气及移动离子穿通能力等缺点，限制了其在特殊半导体工艺和器件(如硅光电转换电路等)中的应用。对于常规的低压化学气相淀积方式生成的氧化硅膜，由于其台阶保形性比较好，在没平坦化工艺的双层布线工艺中，钝化膜在垂直边...
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