技术编号:6935492
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明是有关一种晶圆表面处理,特别是指一种适用于集成电路之半导体晶圆的 制作方法。背景技术为了形成可应用于建构集成电路的硅晶圆,需要对柱状之硅铸锭进行各种机械性 的制程步骤。请参阅图1,其是目前制作适合使用于集成电路之半导体晶圆的步骤流程图。 如图所述,依序进行步骤Sl之提供一硅铸锭;步骤S2之将硅铸锭进行切片,以形成片状晶 圆,且此时晶圆在单一面上的最大锯痕高度差大约为14 16um,双面约30 45um;步骤 S3之泡酸处理,其是为了消除应力、表面不纯...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。