技术编号：6935561
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种叠合标记(Overlay Mark)结构及其测量应用，且特别涉及一种可防止化学机械抛光(Chemical Mechanical Polishing)工艺破坏的叠合标记结构，由于本质上优于传统的设计，并配合X、Y方向同时的测量，因此可提高测量叠合误差(Overlay Error)的精度，其利用本发明所提出的叠合标记来完成。背景技术 通常决定一晶片的光刻工艺(Photolithography Process)成败的因素，除了临界尺寸(Critic...
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