技术编号:6935574
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明是提供一种,即是一种避免低介电常数介电层于去光阻制程中发生介电特性劣化的方法。由于在金属内连线间所产生的RC时间延迟是由金属导线的电阻值(R)与金属导线间的介电层的寄生电容(C)的相乘积,故减少RC时间延迟的方法可利用电阻值较低的金属做为金属导线,或者是降低金属导线间介电层的寄生电容。在降低电阻方面,使用纯铜作为导线材料的铜连结线技术(copperinterconnect technology)以取代传统的铝铜合金[Al∶Cu(0.5%)]为主要材料...
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