技术编号:6935786
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。专利说明本发明涉及一种半导体制作工艺,且特别涉及一种用于减少漏电流路径的方法。 背景技术等离子体是一种经部分离子化的气体,且目前等离子体已广泛应用于半导体工艺 中,如薄膜沉积、蚀刻、离子注入等。然而,由于工艺环境的影响,等离子体却会使得电荷沿 着金属移动,发生所谓的天线效应(antenna effect),影响元件的效能。举例来说,动态随机存取存储器(dynamic random access memory,DRAM)是以 存储单元内电容器来储存数据,每一...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。