技术编号:6936062
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及半导体装置及其工艺,且特别涉及一种发光二极管装置及其 工艺。背景技术利用电流在p-n结所产生的电子及空穴辐射性再结合,可产生电磁辐射 (例如光)。在从直接能隙材料(例如GaAs或GaN)制造的正偏压的p-n结, 该注入空乏区的电子空穴再结合产生电磁辐射的射出。该电磁辐射可以在可 见光的范围内,或是在非可见光的范围内。使用具有不同能隙的材料也可产 生出具有不同发光颜色的发光二极管。此外, 一发光二极管发出具有特定波长范围的电磁辐射时,表示可利用一荧...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。