技术编号:6936120
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及,属于太阳能电池的制 备领域。背景技术化合物半导体镀膜太阳能电池作为一种新的能源材料正在得到迅速的发展, CdS/CdTe多晶镀膜太阳能电池由于具有成本低、性能稳定、工序简单等优点。同时也 具有多晶镀膜化合物半导体,异质结器件等基本特点,是目前极有前途的太阳能电池 之一。CdS/CdTe太阳能电池的制备方法有近空间升华法,电沉积法、分子束外延、物理 气相沉积法和化学水溶法等,目前大多采用近空间升华法,它有一定的优点,但也存 在一些不足,如能耗高、...
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