技术编号：6936350
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及电力半导体制造技术，特别是涉及。背景技术在全控型半导体器件(如门极可关断晶闸管GTO和集成门极换流晶闸管IGCT)中，适度降低阴极梳条区下扩散层的方块电阻，是提高器件梳条关断能力的有效措施之一 。目前有单杂质分布和双杂质分布两种降低方块电阻的方法1 )单杂质分布，多采用硼或镓形成阴极分布，工艺比较简单，但由于形成的器件主结最高电压只能限到5500V附近，无法满足长远发展的需求；2)双杂质分布多釆用硼/铝或镓/铝组合形成阴极分布，所形成器件的主结电...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。