技术编号:6936383
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种在半导体器件中形成用作RF无源器件的RF电感器的 技术。背景技术为了在RF电感器的形成工艺中减少金属的电阻,可能会增加膜的高度。 蚀刻填充有用于电感器的金属线的沟槽的工艺可称为超厚金属(Ultra Thick Metal, UTM)蚀刻工艺。然而,在制造RF电感器的相关方法中,由于聚合 物的产生,可能会出现问题。将参考图l和图2对这些问题给予描述。图1为示出出现于沟槽侧壁上的聚合物的照片,其中在该沟槽侧壁上执 行UTM反应离子蚀刻(RIE)。...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。