技术编号:6936603
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及。 背景技术对于诸如互补金属氧化物半导体(Complementary Metal Oxide Semiconductor, CMOS)传感器(CMOS固体摄像器件)等固体摄像器件, 随着像素小型化的进一步发展,用于限定各个像素中的光电二极管的电 荷累积区域的电位设计变得困难起来。下面说明电位设计变得困难的原因。在各种可见光光束中,红光在硅中呈现出较低的吸收率。因此,在 光电二极管的相对较深的部分中也进行红光的光电转换。因此,为了提高对红光的灵敏度...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。