技术编号:6936645
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及制造氮化物半导体光学器件的方法和制造外延 晶片的方法。背景技术日本未审査专利申请公报2002-43618号公开了氮化物半 导体发光器件。在其实施方案中,在c面蓝宝石衬底和GaN衬底上制 造了发光二极管。在氮化物半导体发光器件的制造中,在75(TC下生长 2 nm厚的Ino.15Gao.85N阱层之后,在将温度从750'C升至1050°C的同时 生长3 nm厚的GaN阻挡层。然后,在105(TC下生长12 nm厚的GaN 阻挡层。所述发光二极管的峰...
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