技术编号：6936676
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明一般性地涉及半导体器件，并且更具体地，涉及一种用于在金属^H"底上的石圭(SOM)的(110)取向上制造沟道型FET的方法和结构，沟道型FET具有高介电常数(高k)栅极电介质。背景技术传统的半导体制造使用多个工艺以在衬底上形成半导体结构。在某些器件中，使用衬底作为电流传导路径的一部分。例如，含固态开关的衬底起着很重要的作用，该固态开关是用于分立器件应用和集成电路的关键半导体结构。固态开关包括，例如，功率金属氧化物半导体场效应晶体管(功率MOSFET)...
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