技术编号:6936754
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及,尤其涉及适合用于数GHz以上的微米波 段、毫米波段的以砷化镓(GaAs)或氮化镓(GaN)为主成分的。背景技术利用微米波及毫米波段的无线通信市场,随着卫星通信或60GHz波段的高速大容 量通信系统或70 80GHz波段的车载雷达系统等的普及,有越来越扩大的倾向。在这些高 频波段信号的收发部中,使用很多在化合物半导体特别是砷化镓(GaAs)或氮化镓(GaN)等 的化合物半导体外延层衬底上层叠的称为MESFET、HFET及HEMT的场效应晶体管(下...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。