技术编号:6936823
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明主要涉及一种半导体功率器件的单元结构和制造方法。特别涉及一种改 进的沟槽MOSFET (金属氧化物半导体场效应晶体管)结构及其新颖的制造方法,使得该 沟槽MOSFET结构可以避免栅-漏之间的短接。背景技术现有技术中采用沟槽式栅接触区和沟槽式源体接触区的N沟道沟槽MOSFET器 件如图IA所示。该N沟道沟槽MOSFET的结构包括N+导电类型的衬底100 ; N导 电类型的外延层102 ; P型体区106 ; N+源区108 ;多个位于有源区的沟槽栅11...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。