技术编号:6936858
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种半导体元件的制造方法,特别涉及一种形成发光二极管 以及将发光二极管结构从生长基底分离的方法。背景技术化合物半导体元件已广泛地应用在光电产品上,例如由第三族至第五族(group m-V)的材料所组成的化合物半导体最适合用于发光二极管 (light-emitting diode; LED)。发光二极管经由在基底上形成有源区,以及在 基底上沉积各种导体与半导体层所制成。通过p-n结的电流,可使用电子-空穴对的辐射再结合以产生电磁辐射,例如光。在一个...
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