技术编号:6936914
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明一般涉及用于形成半导体器件的系统和方法,更具体地,涉及用于形成穿 透硅通孔(TSV)和金属层之间的接触孔的系统和方法。背景技术—般地,为了形成半导体管芯的金属层和延伸穿过半导体管芯的TSV之间的接触 孔,覆盖金属层的钝化层被刻蚀以形成接触开口并暴露金属线的接触部分。在刻蚀之后,形 成阻挡层以接触暴露的接触部分并覆盖接触开口和TSV的侧壁。然后,对接触开口和TSV通 过如电镀的工艺过填充铜。虽然铜和阻挡层的一部分可能被移除,但是介于接触开口和TSV 之...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。