技术编号：6936941
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明是有关于一种，特别是于氮化镓系半导 体层与氧化锌系半导体层之间加入一过渡层，藉由此方法以提升氮化镓系半导体层的结晶 品质。背景技术现今发光组件中，氮化镓系化合物半导体材料是非常重要的宽能隙材料，其可应 用于绿光、蓝光到紫外光的发光组件。但是，形成块材的氮化镓化合物半导体一直技术上是 无法克服的瓶颈，因而无法大量地制造大尺寸的基板及有效地降低制造成本。然而，利用蓝 宝石或者碳化硅做为基板以磊晶成长氮化镓系层于基板之上的技术虽然已普遍且商用化， 但由于蓝...
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