技术编号：6937159
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明是有关于一种随机存取存储器(Random Access Memory，RAM)的制造方法，且特别是有关于一种静态随机存取存储器(StaticRandom Access Memory，SRAM)的制造方法。附图说明图1A至图1D是公知一种静态随机存储器的制造流程剖面示意图。请参照图1A，定义一已形成有栅氧化层102与第一多晶硅层104的基底100上，以形成一埋入式接触窗开口106，暴露出基底100。然后，请参照图1B，于基底100上形成一第二多晶硅层1...
注意：该技术已申请专利，请尊重研发人员的辛勤研发付出，在未取得专利权人授权前，仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。