技术编号：6937194
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及其中采用耗尽型金属-氧化物-半导体(MOS )晶体管和增强型MOS晶体管的半导体器件。背景技术近年来，随着技术上的进步以用于减小集成电路(IC)的芯片尺寸，技术水平已得到提高。在目前技术状况中保持优势的一个方法是创造具有优秀特性的高附加值产品。上文提及的特性可以是各种类型，并且包括温度特性和灵敏度。首先IC的温度特性作为例子说明。为了改善IC的温度特性，主要要求存在于IC中的基准电压对温度的稳定性。对于基准电压生成电路，已经根据制造工艺或IC中的...
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