技术编号:6937260
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明的系统及方法通常涉及半导体工艺,尤其涉及一种晶片扫描和退火的系统及方法。背景技术半导体器件尺寸日益减小,并且栅极电介质也变得越来越薄。以这样小的尺寸,任何穿过栅极电介质层到达下层沟道区的隧穿显著增加了栅极到沟道的漏电流,并增加功耗。因而需要栅极电介质具有高的密度和更少的孔隙。 高k(介电常数)材料通常用作金属氧化物半导体场效应晶体管(M0SFET)器件的栅极电介质。但是,高k材料具有密度低于传统热生长、低k二氧化硅的缺点。 一种改善密度的方法是退火,...
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