技术编号:6937286
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种氮化镓基化合物半导体发光器件。更具体地说,本发明涉及一种 面朝上(face-up)型氮化镓基化合物半导体发光器件,其配置有具有优良透光性和欧姆特 性的正电极。背景技术近年来,GaN基化合物半导体材料作为用于短波长发光器件的半导体材料吸引了 人们的注意力。通过金属有机化学气相沉积方法(MOCVD方法)、分子束外延(MBE方法) 等,在各种氧化物衬底例如蓝宝石晶体或者III-V族化合物衬底上形成GaN基化合物半导 体。 GaN基化合物半导体材料的...
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