技术编号:6937322
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及氮化镓基外延晶片及用于氮化镓基半导体发光器件的 外延晶片的制作方法。背景技术在专利文献l (日本特开2005-159047号公报)中,记载了具有良 好晶体质量的氮化镓基半导体层的氮化镓基半导体元件。在半导体发 光器件的氮化镓支撑基体的主面上设置有氮化镓基半导体层。氮化镓 支撑基体的主面的法线与氮化镓支撑基体的C轴形成角度(称为斜角)。 随着氮化镓支撑基体的斜角接近0度,氮化镓基半导体层的表面上六 棱锥状突起变得越来越显著。另外,该角度优选小于2度...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。