技术编号:6937509
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及半导体材料,尤其是涉及一种制备低弯曲度、无裂紋 的氮化物自支撑衬底的方法。背景技术氮化物类半导体因为它们本身都是直接带隙的半导体材料,室温下禁带宽度从0.7eV到6.2eV可调,是非常有用的光电子材料。氮化物系列半导体不仅 包括氮化镓,而且还包括A1N、 InN或将氮化镓和A1N、 InN的混合晶体薄膜 重叠起来构成的发光元件,但并不是所有含有氮的一般的半导体。氮化物系列 半导体具有耐高温、耐腐蚀、饱和电子速率大、热导性好等特点,在制作高温和大功...
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