技术编号:6937668
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及的是一种特别适用于微波功率晶体管研制生产的,属于半导体微电子设计制造。背景技术在半导体微波功率晶体管中,发射区下方的基区(即所谓内基区)电阻率较高,而且基区宽度较窄,所以内基区电阻较大。由于基区电阻的存在,当发射结处于正偏状态时,发射结电流主要集中在发射结边缘(即所谓发射区电流集边效应),发射结中间区域只增加发射结电容,对电流的贡献很小,从而限制了器件的频率性能和功率性能。过去一般是通过减小发射区条宽来减小内基区电阻和发射结电容,来提高器件的微波...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。