技术编号:6937709
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及电阻性存储单元阵列的领域。更具体来说,本发明涉及用于最大化阵列的信噪比的方法和电阻性存储器阵列中的存储结构。背景技术 电阻性随机存取存储器(RAM)是一种交叉点类型的存储器阵列,由间隔的存储单元的平面矩阵组成,平面矩阵夹在存储单元上下的两个沿正交方向延伸的导体网格(meshes)之间。一个例子是图1中所示的电阻性RAM阵列10。在一个方向上延伸的行导体12被称为字线,在一个通常垂直于第一个方向的方向上延伸的列导体14被称为位线。存储部件16一般被...
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