技术编号:6937833
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及半导体工艺,尤其涉及一种。背景技术目前,外延设备的温度测试主要有两种,一种是使用高温红外线测温,通过石英罩 特殊的观测点,来测试指定区域的温度;一种是采用热电阻,将温感电阻放置在外延腔体的 规定位置进行温度测量。这两种方法测量外延腔体的温度只能抽测几个位置的温度,无法 准确测量外延腔体内所有区域的温度分布。发明内容基于此,有必要提供一种能准确测量外延腔体内所有区域温度分布的量测外延设 备腔体温度的方法。一种,包括生长氧化层;离子注入;在外延设备腔...
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