技术编号:6937882
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及半导体器件的终端结构,尤其涉及一种功率半导体器件的终端及其制 作方法。背景技术由于结弯曲现象的存在,功率半导体器件的终端往往存在过早击穿的现象。因此, 终端保护结构的设计成为功率半导体器件,尤其是高压大功率器件优化设计的重要内容。当前,比较常见的终端保护结构有场环、场板、结终端扩展区(JTE)、斜角、沟槽等 等。斜角、沟槽结构实现困难,场环、场板消耗面积大,降低硅片利用率,且受界面电荷影响 较大。图4为现有技术中一种终端结构示意图。参照图4,现有...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。