技术编号：6937887
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种绝缘栅双极晶体管(IGBT)，尤其涉及一种具有改进终端的IGBT。 背景技术IGBT (绝缘栅双极晶体管)是在一块硅芯片上的许多小器件单元(称为元胞)并 联而成的，各元胞在表面有基本相同的电位，因此元胞之间并不存在击穿的问题。但是在元 胞的最外圈和衬底之间存在高电压差，是器件击穿最先发生的区域，所以，在芯片中元胞的 最外圈的外面要增加终端进行保护，以降低这些区域的表面峰值电场，提高击穿电压，这就 是所谓的终端保护。传统的IGBT结构的正面结构...
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