技术编号：6938080
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及半导体制造领域，尤其涉及。 背景技术目前，在射频RF应用的许多集成电路中使用电感器。半导体衬底上电感器的典型 制作方法如中国专利申请200610172436. 4中所提及的，利用金属化线形成螺旋形状的电 感器，电感器的螺旋状结构就可以产生电感。电感器的一项指标是品质因子Q，品质因子愈高，电感器的效率就愈高。集成电路 的品质因子受到衬底本身寄生损失的限制。这种损失包括通过电感器本身金属层的高电 阻。因此，为了达到高品质因于，电感器里的电阻应尽量小。...
注意：该技术已申请专利，请尊重研发人员的辛勤研发付出，在未取得专利权人授权前，仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。