技术编号：6938093
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种半导体静电保护器件，尤其涉及一种SCR静电保护器件。 背景技术静电对于电子产品的伤害一直是不易解决的问题，当今流行的工艺 技术是使用SCR (可控硅)作为ESD (静电放电)保护器件，如图1所示， 现有的SCR静电保护器件，包括P型村底6，在所述P型衬底6上包括有N阱 注入区4和P阱注入区5;在所述N阱注入区4内包括有一个P型注入区8和一 个N型注入区9以及隔开二者的一个场氧化层隔离区10;在所述P阱注入区 5也包括有一个P型注入区2和一个N...
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