技术编号:6938233
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及半导体元器件制造技术,特别涉及一种N型金属氧化物半导体(NMOS) 的源漏区制造方法。背景技术现有NMOS制造工艺中,在完成栅极结构等的制造以后,需要进行源漏区的制造。 现有源漏区的制造过程主要包括步骤11在栅极结构两侧的半导体衬底上进行轻掺杂漏(LDD)注入和口袋 (Pocket)注入。随着栅极结构宽度的不断减小,其下方的沟道长度也不断减小,沟道长度的减小 增加了源漏间电荷穿通的可能性,即发生短沟道效应,出现不希望的漏电流,因此,需要采 用一些...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。