用于制造半导体器件的方法技术资料下载

技术编号:6938297

提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。

本发明涉及。更具体地,本发明提供了一种对用于 应变硅MOS器件的外延材斜生长的半导体衬底的表面区域进行处理的方法,但应认识到 本发明具有更宽的可应用范围。背景技术集成电路从在单个硅芯片上制造少量互连器件发展为几百万个器件。传统的集 成电路提供了远远超出原来设想的性能和复杂度。为了实现复杂度和电路密度(即,能 够封装到给定的芯片区域上的器件的数量)的改进,最小器件的外形(也称为器件的“几 何形状”)已随着每次集成电路的生产而变得更小。增大的电路密度不仅改进了...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。

详细技术文档下载地址↓↓

提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。
该分类下的技术专家--如需求助专家,请联系客服
  • 贺老师:氮化物陶瓷、光功能晶体材料及燃烧合成制备科学及工程应用
  • 杨老师:工程电磁场与磁技术,无线电能传输技术
  • 许老师:1.气动光学成像用于精确制导 2.人工智能方法用于数据处理、预测 3.故障诊断和健康管理
  • 王老师:智能控制理论及应用;机器人控制技术
  • 李老师:1.自旋电子学 2.铁磁共振、电磁场理论
  • 宁老师:1.固体物理 2.半导体照明光源光学设计实践 3.半导体器件封装实践
  • 杨老师:1.大型电力变压器内绝缘老化机理及寿命预测 2.局部放电在线监测及模式识别 3.电力设备在线监测及故障诊断 4.绝缘材料的改性技术及新型绝缘材料的研究
  • 王老师:1.无线电能传输技术 2.大功率电力电子变换及其控制技术