技术编号:6938297
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及。更具体地,本发明提供了一种对用于 应变硅MOS器件的外延材斜生长的半导体衬底的表面区域进行处理的方法,但应认识到 本发明具有更宽的可应用范围。背景技术集成电路从在单个硅芯片上制造少量互连器件发展为几百万个器件。传统的集 成电路提供了远远超出原来设想的性能和复杂度。为了实现复杂度和电路密度(即,能 够封装到给定的芯片区域上的器件的数量)的改进,最小器件的外形(也称为器件的“几 何形状”)已随着每次集成电路的生产而变得更小。增大的电路密度不仅改进了...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。