技术编号:6938420
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及半导体制造技术,特别涉及一种。技术背景随着电子设备的广泛应用,半导体的制造工艺得到了飞速的发展,半导体器件的 特征尺寸也越来越小,半导体器件中的栅极特性也变得越来越重要。为了减小半导体器件 中的栅极电阻,高浓度掺杂工艺被使用在源漏极的掺杂及栅极的预掺杂过程中。然而,随着 半导体器件的特征尺寸(CD)减小,半导体器件的栅极高度也在减小,在栅极的预掺杂过程 中采用的高浓度掺杂工艺,会使预掺杂杂质穿透半导体器件衬底,严重影响最终得到半导 体器件性能,特...
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