技术编号:6938444
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及半导体制造领域,尤其涉及一种抛光方法。背景技术随着晶圆的关键尺寸越来越小,化学机械抛光(CMP)的刮伤对产品良率的影响越 来越大,即使很小的刮伤也可能造成良率降低。可能造成CMP刮伤的因素非常多,在淀积薄 膜层时产生的在膜层表面和部分嵌入在薄膜层里的杂质颗粒是其中一个重要的因素。在化 学机械抛光的过程中,这些杂质颗粒并不能够被化学机械抛光工艺中的溶剂所溶解,而是 残留在薄膜层的表面,对薄膜层造成划伤。现有技术中解决上述问题所采用的手段是在CMP之...
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