技术编号：6938480
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及半导体制造领域，特别涉及一种。 背景技术随着IC技术的发展，器件尺寸越来越小，互连RC延迟对器件开启速度影响越来越 大，远远超过栅延迟带来的影响，所以减少RC互连延迟成为人们关注的焦点。一方面人们 引进用电阻率小的Cu代替电阻率大的Al，以减小互连电阻，并应用于0. 25 μ m及以下的工 艺；另一方面人们引进低介电常数材料来减少金属互连线之间的电容。为了解决Cu扩散沾 污问题，在淀积Cu之前先淀积一薄层Cu阻挡层-Ti/TiN或Ta/TaN ；...
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