技术编号:6938481
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及半导体制造,特别涉及一种防止晶圆表面不平及曝光中失焦 的方法。背景技术半导体制造工艺中,光刻和刻蚀工艺得到广泛的应用,光刻的过程主要包括形成 光刻胶层;使用光刻机对光刻胶层进行图案化;以所述图案化之后的光刻胶层为掩膜进行 刻蚀;刻蚀之后将剩余的光刻胶去除。随着工艺水平的不断提高,器件的特征尺寸(CD, critical dimension)在不断减小,特别是进入90nm工艺以后,光刻胶层图案化过程中的 聚焦问题越来越重要,聚焦不准或者失焦(def...
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