技术编号:6938531
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种氮化镓(GaN)基的III-V族氮化物材料的异质外延生长方法,特别涉及一种在图形衬底(Patterned Substrate)上生长高质量的氮化物薄膜外延层的方法。背景技术发光二极管具有体积小、效率高和寿命长等优点,在交通指示、户外全色显示等领域有着广泛的应用,从而成为目前光电子学领域的研究热点,尤其是利用大功率发光二极管可实现半导体固态照明,实现人类照明史上的新的革命。 研究表明实现这一历史革命突破的科学技术瓶颈是提高发光二极管的发光效率。...
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