技术编号:6938613
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及半导体制造领域,特别涉及一种。 背景技术在现有的半导体制造工艺中,引入了一种应力记忆技术(SMT,Stress Memorization Technology),用于源极/漏极(S/D)离子注入步骤后,以诱发应力于金属氧 化物半导体场效应管(MOSFET)的沟道区域,借此改善所制造的元器件的电学特性。在传统的SMT工艺中,通常采用沉积应力层及S/D退火工艺,以诱发应力于衬底 中,即通过S/D退火工艺使位于应力顶盖层(stress capping ...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。