技术编号:6938672
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及半导体制造,具体涉及一种。 背景技术随着半导体制造技术的飞速发展,集成电路制造工艺已经进入深亚微米时代。半 导体器件的尺寸和隔离半导体器件的隔离结构亦随之缩小。在0. 13 μ m以下工艺节点, 半导体器件的有源区(active area)之间的隔离均采用浅沟槽隔离工艺(STI,Shallow Trench Insulate)形成。现有技术中,在半导体衬底中,首先在衬底表面形成 垫氧化层(pad oxide)和氮化硅层,然后对氮化硅层、垫氧化层和...
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