技术编号:6938682
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及半导体领域的薄膜生长工艺,尤其涉及。背景技术二氧化硅薄膜是半导体器件中一种非常重要的薄膜,可以用来做栅氧化层、栅侧 面选择性氧化层以及缓冲氧化层。二氧化硅薄膜生长是在反应腔内进行,并需要有硅陪片。 通常的反应腔最多可装载170片晶片,其中150片为产品晶片,20片为硅陪片,放置在产品 晶片两端。如果产品晶片不足150片时,则需要装载额外的硅陪片,直至装满为止。所以在 每次生长过程中,会需要大量的硅陪片。硅陪片表面必须是洁净的,其中最为重要的是水汽...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。